ASML，这家荷兰公司，正因其在光刻技术领域的绝对领先地位，成为了全球科技竞争的核心焦点。
《经济学人》指出，尽管日本竞争对手佳能试图通过更简单、更廉价的纳米压印技术挑战ASML的垄断地位，但光刻技术的竞争注定是一场以十年为单位的持久战。超越ASML的难度极高。 这场竞争的本质，是对塑造未来计算、人工智能，乃至整个科技发展方向的关键设备控制权的争夺。
ASML的尖端EUV光刻机堪称工程奇迹，其运作方式极为复杂精密。 它首先向真空室内喷射5万滴熔融的锡珠，每一滴锡珠都必须经受两次激光的冲击：第一次是较弱的激光脉冲，目的是将锡珠压扁成微型的薄饼状；紧接着是第二次，强度更高的激光脉冲，将锡珠瞬间汽化。
这个汽化过程会将锡滴转化为温度高达22万摄氏度的高温等离子体，这相当于太阳表面温度的40倍。 在这个过程中，等离子体释放出波长极短的极紫外光（EUV）。 随后，这种极紫外光经过一系列超平滑镜面的精确反射和聚焦，最终投射到载有芯片电路蓝图的掩膜版上，并将设计图案蚀刻到涂有感光化学物质的硅晶圆上。
ASML的光刻设备对于现代芯片制造来说是不可或缺的。 像台积电、三星和英特尔这样的行业巨头，都依赖于ASML的设备来生产从AI加速器到智能手机芯片的各种尖端处理器。
目前，没有任何其他公司能够可靠地制造用于7纳米及更先进制程的光刻机。 即使在相对成熟的工艺（如14纳米及以上）领域，ASML的设备也占据了超过90%的市场份额，显示了其绝对的统治地位。
虽然ASML没有公开具体的价格，但其最新的EUV机型价格几乎是前代产品的两倍。 预计未来的Hyper-NA系统将更加昂贵。 尽管公司强调目前尚无法保证Hyper-NA系统能够量产，但ASML的技术总监Jos Benschop认为，如果市场需求足够强烈，Hyper-NA设备有可能在5到10年内问世。
曾经的光刻行业霸主佳能，选择了一条与ASML截然不同的道路，押宝于纳米压印（NIL）技术。
这种工艺就像印刷机一样，将电路模板直接压印到晶圆上。 理论上，纳米压印技术能够以纳米级的精度、更低的成本和更小的体积，对EUV光刻技术构成挑战。 纳米压印技术的流程主要包括：首先利用电子束刻制母版，然后将液态树脂滴注到晶圆上，最后通过紫外光进行固化。
佳能声称，其纳米压印设备的成本比EUV光刻机低40%，具有显著的成本优势。
然而，纳米压印技术也面临着诸多挑战，例如缺陷控制（模板上的微小颗粒会导致整片晶圆出现缺陷）、层间对准精度（需要纳米级的对齐精度）以及生产效率（目前每小时只能处理110片晶圆，仅为EUV光刻机的60%）。
目前，纳米压印技术在存储芯片和手机屏幕等领域已经取得了一定的突破。
佳能认为，纳米压印技术可以与EUV光刻技术形成互补，在对精度要求不高的环节中降低生产成本。
佳能光学部门负责人岩本和纪认为，纳米压印技术和EUV光刻技术并非完全替代关系，而是可以相互补充，共同推动芯片制造技术的发展。
随着技术的不断进步，这种颠覆性的纳米压印工艺有望催生出速度更快、能耗更低的AI芯片，为人工智能领域带来新的突破。
